| 品牌：原厂 | 型号：SI8417DB | 封装：标准 |
| 批号：新 | FET类型：P沟道 |
明佳达供应 SI8417DB 场效应管 P型，全新原装，量大***，有需要请找客服人员咨询下单。
产品规格
FET 类型：P 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14.5A（Tc）
驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）：21 毫欧 @ 1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（值）：900mV @ 250?A
Vgs（值）：±8V
FET 功能：-
功率耗散（值）：2.9W（Ta），6.57W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：6-Micro Foot?（1.5x1）
封装/外壳：6-MICRO FOOT?CSP
漏源电压（Vdss）：12 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）：57 nC @ 5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）：2220 pF @ 6 V
