| 品牌：原厂 | 型号：NTF6P02T3G | 封装：标准 |
| 批号：新 | FET类型：P沟道 |
明佳达电子出售 NTF6P02T3G 场效应管 P型，全新原装，价格优势，如有实单请找客服洽谈。
产品规格
FET 类型：P 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Ta）
驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）：50 毫欧 @ 6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（值）：1V @ 250?A
Vgs（值）：±8V
FET 功能：-
功率耗散（值）：8.3W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：SOT-223（TO-261）
封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
漏源电压（Vdss）：20 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）：20 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）：1200 pF @ 16 V
